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如何選擇真空鍍膜設(shè)備供應(yīng)商

真空檢測(cè)系統(tǒng)，目前基本都是用復(fù)合真空計(jì)，熱偶規(guī)+電離規(guī)的組合，這個(gè)組合在遇到充入大量含有C元素的氣體的工藝，電離規(guī)很容易毒化，造成電離規(guī)損壞，如果鍍制含有大量C元素的氣體的工藝，可以考慮，配置電容薄膜規(guī)。

真空電源，國(guó)產(chǎn)電源和進(jìn)口電源的差距還是比較明顯，當(dāng)然價(jià)格也比較優(yōu)惠，一臺(tái)國(guó)產(chǎn)的20KW中頻電源在8萬(wàn)左右，一臺(tái)進(jìn)口的中頻電源在20萬(wàn)，進(jìn)口電源的性能和可靠性，穩(wěn)定性會(huì)更好，國(guó)產(chǎn)電源由于產(chǎn)地就在國(guó)內(nèi)，可能在服務(wù)上要好于進(jìn)口電源。

薄膜均勻性概念

1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長(zhǎng)作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

2.化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，真空鍍膜系統(tǒng)哪家好，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。 具體因素也在下面給出。

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真空鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)

鍍膜方法可以分為氣相生成法，氧化法，離子注入法，擴(kuò)散法，電鍍法，涂布法，液相生長(zhǎng)法等。氣相生成法又可分為物理氣相沉積法，化學(xué)氣相沉積法和放電聚合法等。

真空蒸發(fā)，濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理氣相沉積法，是基本的薄膜制備技術(shù)。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。所以，真空技術(shù)是薄膜制作技術(shù)的基礎(chǔ)，獲得并保持所需的真空環(huán)境，是鍍膜的必要條件。

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