LYTCR型動態(tài)無功自動補償裝置

產品概述
      TCR(Thyristor phase controlled reactor晶閘管相控電抗器)型SVC(StaticVarCompensator)動態(tài)無功補償裝置能跟蹤負荷的工作狀態(tài)，發(fā)出與沖擊負荷相關的TCR晶閘閥的觸發(fā)脈沖。通過光電轉換及高壓光纜的傳遞，使觸發(fā)脈沖觸發(fā)各晶閘管。不同的觸發(fā)角，改變了TCR主抗器的電流量，從而改變了TCR回路的感性無功率量。通過TCR回路的感性無功功率的跟隨作用，使用戶流入電網的無功功率趨于零（或一定值）。
   由于晶閘管閥及電子設備的動態(tài)響應很快，即實現(xiàn)了動態(tài)補償?shù)墓δ?。依靠FC回路的作用，濾除諧波電流。通過調節(jié)器的檢測，運算和調節(jié)作用使SVC平衡負荷的不對稱有功負荷，抑制電網的負序分量。

使用條件
   1、環(huán)境溫度：-45℃～45℃，24小時內平均溫度不超過35℃。
   2、相對濕度：不超過90%。
   3、大氣壓力：80～110kPa。
   4、海拔高度：≤2000m。
   5、風速：≤35m/s。
   6、安裝場所：使用地點不允許有**危險的介質，周圍介質中不應含有
     腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體及導電介質，不允許充滿水蒸汽及有嚴重
     的霉菌存在；應具有防御雨、雪、風、沙的設施。
裝置特點
   1、高壓晶閘管閥采用國外半導體公司的晶閘管元件串聯(lián)連接，能承受
     SVC裝置的**大過流/過壓水平和較高的dv/dt，di/dt水平，并配合
     電抗器實現(xiàn)良好的動態(tài)響應。
   2、閥組采用臥式結構，多層布置形式，框架采用氧化或噴塑工藝的角鋁
     制成。
   3、高電位板實現(xiàn)高電位取能、觸發(fā)及BOD保護等功能。　
   4、采用分層分布式控制系統(tǒng)，系統(tǒng)可靠性高和可擴展性大。
   5、基于DSP實現(xiàn)數(shù)字控制信號的并行處理，實現(xiàn)了實時控制量的計算
   6、多功能自動接口，滿足數(shù)據(jù)傳輸（CAN）、快速控制（直接I/O）和遠程
     通訊（RS485）的需要。
   7、采用開環(huán)/閉環(huán)反饋控制方式，系統(tǒng)的電壓波動和閃變符合國標要求，
     系統(tǒng)功率因數(shù)穩(wěn)定。
   8、通過EMC測試，具有較強的抗干擾能力。
 技術參數(shù)
   1、額定電壓：6kV～35kV
   2、額定頻率：50Hz
   3、動態(tài)響應時間：≤20mS
   4、無功調節(jié)范圍：0～**
   5、電壓穩(wěn)定精度：≤1%
   6、功率因數(shù)達到 0.93 以上；諧波、電壓波動、閃變滿足國標及用戶要求
   7、裝置各回路對地絕緣電阻≥1000M
   8、抗干擾性能：能承受頻率為1MHz共模幅值電壓2500V，差模電壓1000V的衰減震蕩波脈沖干擾。
   9、損    耗：≤5%
   10**大允許電流：裝置能在電流方均根值為1.3IN電流的條件下連續(xù)運行。